09天大微电子复试笔试试题

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微电子复试笔试是可选的，可以选半导体集成电路和晶体管原理，也可以选电介质物理。相对而言电介质物理较为简单，多是背的内容。 不过一般来说微电方面选前者，固电方面选后者，具体对于选导师和方向有无影响，不是很清楚，反正我是看到有选固电题目的到了微电导师那里。
    另外再给大家透露下目前的阅卷情况吧。专业课分数要求研招办在2月上旬上报天津市考试院 ，考分得到年后才能出来，大约2月下旬 。（来自研究生院freepro老师）
    学术型和学位型的判卷问题 ：学术型和学位型的判卷是分开的。据我所知，这次确实有一小部分考生答错题目。有学术型的答了应用型的题，应用型的答了学术型的题，都有具体办法等分数出来之后再说吧，到时会根据情况进行处理 。（来自研究生院freepro老师）

    至于天津的阅卷情况，英语稍松，政治压分有些重。（我和同学的经验）

    下面是直接转我博客的内容：

由于我深知没有往年笔试试题的参考，准备的盲目性以及无力感，所以今年笔试后我特意把笔试题目抄了下来，供下届学弟参考。总体来说都是复试大纲里所说的最基本的，有的是原题，还有是书本例题。

    1 PN结击穿机理有哪几种，如何区分?  5分

    2 简述双极晶体管的开关过程。       6分

    3 表面沟阈值电压定义，表达式，分析影响因素。    5分

    4 NMOS工作原理，电压电流方程，并分析影响因素。  9分

    5 分析CMOS PTAT工作原理（给图）    10分

    6 画出以下集成电路

      （1）CMOS 实现双输入或非门        4分

      （2）NMOS 实现[(E+F)A＋B]的非     6分 （非门符号不会打。。其实这是半导体集成电路的例题）

    7 简要分析集成双极晶体管存在哪些寄生效应。  6分

    8 SBD和一般二极管的差别。           6分  

    9 画出ECL电路图，并简要分析原理。   8分